商品名稱:FS200R12N3T4RB81
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS200R12N3T4RB81.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FS200R12N3T4RB81具有低 VCEsat,溝槽式 IGBT 4,基板,熱阻低。FS200R12N3T4RB81采用銅基板,PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù),耐 H2S。
應(yīng)用
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
? 伺服驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISC037N12NM6
ISC037N12NM6 是 SuperSO8 封裝的普通級(jí) 120 V MOSFET晶體管,導(dǎo)通電阻為 3.7 mOhm。ISC037N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。ISC037N12NM6 產(chǎn)品屬性:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):120 V25C 時(shí)…ISC032N12LM6
ISC032N12LM6(N-通道功率MOSFET):120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,采用 SuperSO8 封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):ISC032N12LM6封裝:PG-TDSON-8類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管說明:ISC032N12LM6 是 SuperSO8 封裝中的邏輯電平 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 3.2 mOhm。I…IPB026N10NF2S
IPB026N10NF2S 是一款100V,StrongIRFET ? 2 單 N溝道功率 MOSFET晶體管,采用 DPAK 封裝,產(chǎn)品詳情如下所示:型號(hào):IPB026N10NF2S封裝:PG-TO263-3(DPAK)類型:N-通道功率MOSFET應(yīng)用:適用于輕型電動(dòng)車解決方案規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SM…S25HS02GTDZBHM053
S25HS02GTDZBHM053是專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的SEMPER? NOR閃存系列產(chǎn)品。該器件具備2 Gbits存儲(chǔ)密度和Quad SPI接口,提供高達(dá)80 MByte/s的高帶寬。工作電壓為1.8V,支持SDR模式下133 MHz及DDR模式下80 MHz的接口頻率。此符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的器件采用英飛凌創(chuàng)新的45納米MIRRORB…S70FL01GSDSBHMC13
S70FL01GSDSBHMC13是一款1Gbit 3V 80MHz NOR閃存。S70FL01GSDSBHMC13 規(guī)格參數(shù)存儲(chǔ)器類型:非易失性存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù)類型:閃存 - NOR存儲(chǔ)容量:1Gbit存儲(chǔ)器組織:128M x 8存儲(chǔ)器接口:SPI - 四通道I/O時(shí)鐘頻率:80 MHz電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V工作溫度:-40C ~ 125…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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