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ISC032N12LM6（N-通道功率MOSFET）：120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，采用 SuperSO8 封裝。

產(chǎn)品詳情：

型號：ISC032N12LM6

封裝：PG-TDSON-8

類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管

說明：ISC032N12LM6 是 SuperSO8 封裝中的邏輯電平 120 V MOSFET，導通電阻為 3.2 mOhm。ISC032N12LM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

ISC032N12LM6 規(guī)格參數(shù)：：

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 170 A

Rds On-漏源導通電阻: 9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 33 nC

最小工作溫度: - 55 ℃

最大工作溫度: + 175 ℃

Pd-功率耗散: 211 W

通道模式: Enhancement

產(chǎn)品類型: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 29.6 ns

典型接通延遲時間: 9.3 ns

ISC032N12LM6 產(chǎn)品特性：

與 OptiMOS ?相比，該技術特點如下：

RDS(on) 提高高達 40%

FOMg

Qrr 提高高達 50%

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