商品名稱:FS25R12W1T7PB11
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS25R12W1T7PB11.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FS25R12W1T7PB11 1200V EasyPACK ? 1B 是高效、易于操作的模塊,專為功率高達(dá)100kW的電源逆變器而設(shè)計(jì)。該模塊占位面積緊湊,具有不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),因而在設(shè)計(jì)上具備靈活性,可實(shí)現(xiàn)不同的逆變器幾何形狀和進(jìn)一步與電機(jī)集成。外殼中集成安裝用的夾子,可確保模塊在整個(gè)使用期內(nèi)模塊對(duì)冷卻系統(tǒng)施加正確的壓力,同時(shí)配有用于PCB安裝時(shí)易于組裝的PressFIT引腳。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
配置:三相反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):25 A
功率 - 最大值:20 mW
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):-
電流 - 集電極截止(最大值):5.6 μA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):4.77 nF @ 25 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISC037N12NM6
ISC037N12NM6 是 SuperSO8 封裝的普通級(jí) 120 V MOSFET晶體管,導(dǎo)通電阻為 3.7 mOhm。ISC037N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。ISC037N12NM6 產(chǎn)品屬性:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):120 V25C 時(shí)…ISC032N12LM6
ISC032N12LM6(N-通道功率MOSFET):120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,采用 SuperSO8 封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):ISC032N12LM6封裝:PG-TDSON-8類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管說(shuō)明:ISC032N12LM6 是 SuperSO8 封裝中的邏輯電平 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 3.2 mOhm。I…IPB026N10NF2S
IPB026N10NF2S 是一款100V,StrongIRFET ? 2 單 N溝道功率 MOSFET晶體管,采用 DPAK 封裝,產(chǎn)品詳情如下所示:型號(hào):IPB026N10NF2S封裝:PG-TO263-3(DPAK)類型:N-通道功率MOSFET應(yīng)用:適用于輕型電動(dòng)車(chē)解決方案規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SM…S25HS02GTDZBHM053
S25HS02GTDZBHM053是專為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的SEMPER? NOR閃存系列產(chǎn)品。該器件具備2 Gbits存儲(chǔ)密度和Quad SPI接口,提供高達(dá)80 MByte/s的高帶寬。工作電壓為1.8V,支持SDR模式下133 MHz及DDR模式下80 MHz的接口頻率。此符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的器件采用英飛凌創(chuàng)新的45納米MIRRORB…S70FL01GSDSBHMC13
S70FL01GSDSBHMC13是一款1Gbit 3V 80MHz NOR閃存。S70FL01GSDSBHMC13 規(guī)格參數(shù)存儲(chǔ)器類型:非易失性存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù)類型:閃存 - NOR存儲(chǔ)容量:1Gbit存儲(chǔ)器組織:128M x 8存儲(chǔ)器接口:SPI - 四通道I/O時(shí)鐘頻率:80 MHz電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V工作溫度:-40C ~ 125…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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