商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMCQ120R053M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的組裝流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)正引領(lǐng)散熱、能效、設(shè)計靈活性及性能的新時代。
IMCQ120R053M2H 的特點
VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
IDDC = 31 A @TC = 100°C
RDS(on) = 52.6 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
極低的開關(guān)損耗
過載運行溫度可達(dá) Tvj = 200°C
短路耐受時間 2 μs
基準(zhǔn)柵極閾值電壓
對寄生導(dǎo)通具有抗擾性
適用于硬換向的堅固體二極管
.XT 互連技術(shù)
IMCQ120R053M2H 的優(yōu)勢
卓越的熱性能
提高能源效率
更高的功率密度
更緊湊且易于設(shè)計的方案
更低的總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMCQ120R053M2H的應(yīng)用領(lǐng)域
電動汽車充電
固態(tài)斷路器
低壓驅(qū)動器
光伏系統(tǒng)
不間斷電源(UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…S25FL128SDSBHI213
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S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過 SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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