商品名稱:N溝道功率MOSFET
品牌:IXYS
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。
IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)
FET類型:N溝道
工藝:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200 V
持續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C:150A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻):10V
導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs:15mΩ @ 75A, 10V
閾值電壓(最大) @ Id:5V @ 4mA
柵極電荷(Qg)(最大值) @ Vgs:177 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
輸入電容(Ciss)(最大值) @ Vds:11700 pF @ 25 V
功耗(最大):890W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
IXFH150N20T特性
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝
雪崩耐受
高電流處理能力
快速內(nèi)置整流器
低導(dǎo)通電阻
IXFH150N20T優(yōu)勢(shì)
易于安裝
節(jié)省空間
高功率密度
IXFH150N20T應(yīng)用
DC-DC轉(zhuǎn)換器
電池充電器
開(kāi)關(guān)模式與諧振模式電源
直流斬波器
交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
不間斷電源
高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N17T2
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