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碳化硅 MOSFET 模塊 FS03MR12A6MA1B 該電源模塊采用新的 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V
描述:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2
規(guī)格參數
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):400A(Tj)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.7 毫歐 @ 400A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.55V @ 240mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):1320nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):42.5nF @ 600V
功率 - 最大值:20mW
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:AG-HYBRIDD-2
功能總結
電氣特性
新型半導體材料——碳化硅
阻斷電壓 1200V
低RDSon
低開關損耗
低 Og 和 Crss
低電感設計 <10nH
T vj op= 150°C
機械特性
4.2kV DC 1sec 絕緣
高爬電距離和電氣間隙
緊湊的設計
高功率密度
直冷PinFin底板
高性能 Si3N4 陶瓷
PCB 和冷卻器組件的導向元件
集成 NTC 溫度傳感器
PressFIT 接觸技術
符合 RoHS 標準
UL 94 V0 模塊框架
產品型號:FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1
批次:最新21+
封裝:Module
明佳達供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1,全新原裝,質量保證,價格優(yōu)勢,有庫存呆料需處理的歡迎聯(lián)系,公司還回收一系列模塊如:5G、新能源、物聯(lián)網、車聯(lián)網、車規(guī)級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍牙5.0、以太網、傳感器、光模塊、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列。
要求:只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿易商、終端工廠等,不接受不是正規(guī)渠道貨源。
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