最新資訊明佳達(dá)只做原裝正品，推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個(gè)，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，質(zhì)量保證，歡迎咨詢QQ：1668527835電話：13410018555 郵箱：chen13410018555@163.com、sales@hkmjd.com
明佳達(dá)只做原裝正品，推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個(gè)，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，質(zhì)量保證，歡迎咨詢！
型號(hào)：NTMFS4C55NT1G
年份：最新21+
封裝：DFN
NTMFS4 N溝道MV MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。
NTMFS4 采用各種小尺寸封裝選項(xiàng)，可提高設(shè)計(jì)靈活性。
產(chǎn)品屬性
制造商:onsemi
產(chǎn)品種類:MOSFET
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8FL
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:21.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
Qg-柵極電荷:14 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:33 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:7 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:68 S
長度:6 mm
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:32 ns
系列:NTMFS4C55N
工廠包裝數(shù)量:1500
子類別:MOSFETs
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:21 ns
典型接通延遲時(shí)間:11 ns
寬度:5 mm
單位重量:540 mg
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